Pressemitteilung von Ujeong Jahnke

Samsung startet Massenproduktion des weltweit schnellsten DRAMs - basierend auf neuester HBM-Schnittstelle (High Bandwidth Memory)

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SEOUL, Korea, 19. Januar 2016 - Samsung Electronics Co. Ltd. hat die Massenproduktion des branchenweit ersten 4-gigabyte (GB) DRAM Package mit HBM2-Schnittstelle (High Bandwidth Memory) der zweiten Generation aufgenommen. Die neuen High-Bandwidth-Speicher eignen sich speziell für HPC-Anwendungen (High Performance Computing), fortschrittliche Grafik- und Netzwerksysteme sowie für Enterprise Server. Samsungs neue HBM-Lösung ist über sieben Mal schneller als aktuelle DRAMs und bietet damit eine noch nie dagewesene Leistungsfähigkeit. Dies ermöglicht eine schnellere Reaktionsfähigkeit bei Rechenaufgaben aus dem Bereich High-End-Computing, zum Beispiel Parallelverarbeitung, Grafik-Rendering und maschinelles Lernen.

"Durch die Massenproduktion von HBM2 DRAM der nächsten Generation können wir einen wesentlich größeren Beitrag zur raschen Akzeptanz kommender HPC-Systeme durch weltweit aktive IT-Unternehmen leisten", sagt Sewon Chun, Senior Vice President, Memory Marketing, Samsung Electronics. "Indem wir unsere 3D Speichertechnologie nutzen, können wir den vielseitigen Anforderungen globaler IT-Unternehmen weitaus proaktiver als bisher gerecht werden und zugleich die Basis für künftiges Wachstum des DRAM-Marktes stärken."

Das neu in den Markt eingeführte 4GB HBM2 DRAM nutzt Samsungs effizienteste 20-Nanometer-Prozesstechnologie und basiert auf einem innovativen HBM-Chipdesign. Es deckt den Bedarf an Speichern mit hoher Leistungsfähigkeit und Energieeffizienz und bietet zudem eine hohe Zuverlässigkeit. Aufgrund seiner kleinen Abmessungen eignet sich das 4GB HBM2 DRAM speziell für HPC-Systeme und Grafikkarten der nächsten Generation.

Auf die Markteinführung von Samsungs 128GB 3D TSV DDR4 RDIMM (Registered Dual Inline Memory Module) im Oktober 2015 folgend, kennzeichnet das neue HBM2 DRAM den jüngsten Meilenstein in der TSV-Technologie (Through Silicon Via).
Das 4GB HBM2 Package entsteht, indem man auf einen Puffer-Die vier 8-gigabit (Gb) Core-Dies stapelt. Diese werden dann vertikal über TSV-Löcher und Microbumps miteinander verbunden. Ein 8Gb HBM2 Die enthält über 5.000 TSV-Löcher. Dies sind über 36 Mal so viele wie bei einem 8Gb TSV DDR4 Die. Gegenüber typischen Wire Bonding Packages lässt sich so eine wesentlich höhere Datenübertragungsrate erzielen.

Samsungs neues DRAM Package bietet mit 256GBps die doppelte Bandbreite von HBM1 DRAM Packages. Dies ist mehr als die siebenfache Bandbreite von 4Gb GDDR5 DRAM Chips (36GBps), die von allen derzeit produzierten DRAM-Chips die höchste Datenübertragungsgeschwindigkeit pro Pin (9Gbps) aufweisen. Samsungs 4GB HBM2 ermöglicht auch eine erhöhte Leistungseffizienz, indem gegenüber einer 4Gb-GDDR5-basierten Lösung die Bandbreite pro Watt verdoppelt wird. Eine interne ECC-Funktion (Error-Correcting Code) sorgt für hohe Zuverlässigkeit.

Darüber hinaus plant Samsung die Produktion eines 8GB HBM2 DRAM Packages noch in diesem Jahr. Beim Einsatz von 8GB HBM2 DRAM in Grafikkarten können Entwickler gegenüber GDDR5 DRAM von einer Platzersparnis von über 95 Prozent profitieren und optimalere Lösungen für kompakte Geräte anbieten, die besonders hohe Grafikleistungen benötigen.
Das Unternehmen wird das Produktionsvolumen seiner HBM2 DRAMs im Verlauf des Jahres stetig steigern, um das erwartete Wachstum bei der Nachfrage für Netzwerksysteme und Server zu erfüllen. Samsung wird ferner sein Angebot an HBM2 DRAM-Lösungen ausdehnen, um auf dem Markt für Hochleistungs-Computing vorne zu bleiben und seine Führungsposition bei der Produktion von Premium-Memory auszubauen.

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