Pressemitteilung von Heather Skinner

WESTERN DIGITAL KÜNDIGT WELTWEIT ERSTEN 512 GIGABIT 64-LAYER 3D NAND CHIP AN

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INTERNATIONAL SOLID STATE CIRCUITS CONFERENCE (ISSCC), Kalifornien - 07. Februar, 2017 - Western Digital Corp. (NASDAQ: WDC) gibt heute den Start einer Pilotproduktion des 512 Gigabit (Gb) drei Bits pro Zelle (X3) 64 Layer 3D NAND (BICS3) Chip in Yokkaichi, Japan bekannt. Mit der Massenproduktion kann in der zweiten Jahreshälfte gerechnet werden. Als Erster seiner Art ist der Chip der jüngste Erfolg in einer beinahe drei Jahrzehnte andauernden Geschichte von Weltneuheiten des Marktführers im Bereich der Speichertechnologie.

"Der Launch des branchenweit ersten 512Gb 64 Layer 3D NAND Chip ist ein weiterer wichtiger Schritt in der Weiterentwicklung unserer 3D NAND-Technologie. Seit der Einführung der weltweit ersten 64-Layer Architektur im Juli 2016 verdoppelte sich damit die Dichte", sagt Dr. Siva Sivaram, Executive Vice President, Memory Technology, Western Digital. "Dies stellt eine großartige Ergänzung unseres schnell wachsenden 3D NAND-Technologieportfolios dar. Zudem positionieren wir uns mit dem Anspruch, der steigenden Nachfrage nach Speicher in Zeiten des exponentiellen Datenwachstums über alle Sparten wie Retail, Mobile und Datacenter hinweg gerecht zu werden."

Der 512Gb 64 Layer Chip wurde in Zusammenarbeit mit Toshiba, dem Technologie- und Produktionspartner des Unternehmens, entwickelt. Western Digital hat im Juli 2016 anfängliche Kapazitäten der weltweit ersten 64 Layer 3D NAND-Technologie und 2015 der weltweit ersten 48 Layer 3D NAND-Technologie vorgestellt; die Produktauslieferung beider Technologien erfolgt weiterhin über den Einzelhandel und OEM-Partner.

Western Digital wird am 7. Februar auf der International Solid State Circuits Conference (ISSCC) ein technisches Paper zur Weiterentwicklung im Bereich High Aspect Ratio Semiconductor Processing vorstellen, die diese Technologie möglich machte. Weitere Details dazu finden Sie hier: http://isscc.org/

Forward-Looking Statements

This news release contains certain forward-looking statements, including expectations for 3D NAND technology, including its development, timing for initial output, commercial volume production, product sampling and shipment, capabilities, performance improvements, applications, capacities and customers that are based on current expectations. There are a number of risks and uncertainties that may cause these forward-looking statements to be inaccurate including, among others: volatility in global economic conditions; business conditions and growth in the storage ecosystem; impact of competitive products and pricing; market acceptance and cost of commodity materials and specialized product components; actions by competitors; unexpected advances in competing technologies; our development and introduction of products based on new technologies and expansion into new data storage markets; risks associated with acquisitions, mergers and joint ventures; difficulties or delays in manufacturing; and other risks and uncertainties listed in the company's filings with the Securities and Exchange Commission (the "SEC"), including the company's Form 10-Q filed with the SEC on November 8, 2016, to which your attention is directed. You should not place undue reliance on these forward-looking statements, which speak only as of the date hereof, and the company undertakes no obligation to update these forward-looking statements to reflect subsequent events or circumstances.

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