Pressemitteilung von Birgit Fuchs-Laine

Vierfach-MOSFET-Lösung von Fairchild Semiconductor ermöglicht besseren Wirkungsgrad bei aktiven Brückenschaltungen und benötigt keine Wärmesenke


Elektro & Elektronik

Fürstenfeldbruck - 29. April 2013 - Die starke Wärmeentwicklung in leistungsfähigen, kompakten aktiven Brückenschaltungen, wie beispielsweise bei Netzwerkkameras, kann Probleme bei der Bildqualität verursachen. Auch thermisch bedingte Störungen können die Bildsensoren des Systems beeinflussen, so dass sich die Bildqualität der Kameras verschlechtern kann. Die typischen Wärmesenken, welche die thermischen Schwankungen ausgleichen sollen, können durch zusätzlich notwendige Bauteile und Leiterplattenfläche die Komplexität dieser Designs noch erhöhen. Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) hat mit dem FDMQ86530L 60V Quad-MOSFET eine All-in-One-Lösung für diese kritischen Design-Herausforderungen entwickelt.

Die FDMQ86530L Lösung besteht aus vier 60 V N-Kanal MOSFETs und nutzt die GreenBridgeTM Technologie von Fairchild, die den Leitungsverlust und Wirkungsgrad konventioneller Dioden-Brückenschaltungen verbessert. Damit lässt sich eine Reduzierung der Verlustleistung um das bis zu Zehnfache erreichen. Das Bauteil ist in einem thermisch optimierten, platzsparenden 4,5 x 5,0 mm großen 12-poligen MLP-Gehäuse erhältlich und benötigt keine Wärmesenke. Dadurch ist nicht nur ein kompaktes Design, sondern auch ein höherer Wirkungsgrad von 12V- und 24V-AC-Anwendungen möglich.

Spezifikation:

- Max. RDS(ON) = 17,5 m bei VGS = 10 V, ID = 8 A
- Max. RDS(ON) = 23 m bei VGS = 6 V, ID = 7 A
- Max. RDS(ON) = 25 m bei VGS = 4,5 V, ID = 6,5 A

Gehäusetypen und Preise (in USD ab 1.000 Stück)
Muster sind auf Anfrage erhältlich - Lieferzeit ca. 8-12 Wochen
- Das Produkt FDMQ86530L ist in einem 4,5 x 5,0 mm großen 12-poligen MLP-Gehäuse verfügbar und kostet $1,38

Das Bauteil gehört zu dem umfassenden Portfolio von diskreten MOSFETs von Fairchild. Das Unternehmen ist bestrebt durch innovative Gehäusetechnologien Lösungen mit einer minimalen Größe, einem maximalen thermischen Verhalten und einem hohen Wirkungsgrad für die heutigen fortschrittlichen Systeme anzubieten.
Kontakt:

Weitere Informationen über dieses Produkt erhalten Sie von Fairchild Semiconductor unter: http://www.fairchildsemi.com/cf/sales_contacts/.

Informationen über andere Produkte, Design-Tools und Vertriebspartner erhalten Sie unter: http://www.fairchildsemi.com.
Anmerkungen für die Redaktion: Ein Datenblatt im PDF-Format finden Sie unter:
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMQ86530L.pdf
MOSFET Wärmesenke Gehäuse Dioden-Brückenschaltung

http://www.fairchildsemi.com/
Fairchild Semiconductor
Oskar-von-Miller-Str. 4e 82256 Fürstenfeldbruck

Pressekontakt
http://www.lucyturpin.com
Lucy Turpin Communications
Prinzregentenstr. 79 81675 München


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