Pressemitteilung von Birgit Fuchs-Laine

Siliciumcarbid (SiC) Lösungen von Fairchild Semiconductor bieten höchsten Wirkungsgrad und Zuverlässigkeit für Energieumwandlungssysteme

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Fürstenfeldbruck - 13. November 2012 - Um eine höhere Leistungsdichte zu erreichen und die strikten Wirkungsgradregelungen und Systemzuverlässigkeit zu erfüllen, müssen die Entwickler von Industrie- und Leistungselektronik die Leistungsverluste kontinuierlich reduzieren und die Zuverlässigkeit ihrer Designs stetig verbessern. Allerdings kann die Verbesserung dieser entscheidenden Design-Eigenschaften in Anwendungen, wie erneuerbare Energie, industrielle Motorantriebe, hochdichte Stromversorgungen, Automotive und Bergbau die Designs komplizierter machen und zudem die gesamten Systemkosten erhöhen.

Speziell für diese Herausforderungen hat Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS), ein führender weltweiter Anbieter von leistungsfähigen Halbleiter-Lösungen Leistungselektronik und mobile Anwendungen, neue Lösungen auf der Basis der Siliciumcarbid (SiC) Technologie vorgestellt. Diese sind ideal für den Einsatz in Systemen zur Energieumwandlung und bauen die Führungsposition von Fairchild im Bereich der innovativen Hochleistungs-Transistortechnologie weiter aus.

SiC-Lösungen von Fairchild

Durch die Erweiterung des Produktportfolios mit SiC-basierten Lösungen stärkt Fairchild seine führende Position im Bereich der innovativen Leistungstransistor-Technologie.

Das SiC-Angebot von Fairchild umfasst:
- Optimierte, weitgehend standardisierte aber auch kundenspezifische technische Lösungen, die von dem großen Portfolio von Halbleiterbauteilen und Modulgehäuse-Technologien des Unternehmens profitieren
- Fortschrittliche Technologien, welche die technischen Herausforderungen durch eine funktionelle Integration und Ressourcen zur Design-Unterstützung vereinfachen. Diese minimieren die Anzahl der benötigten Bauteile und reduzieren die Entwicklungszeit
- Erfüllung der Anforderungen der Bauteilhersteller und Chipset-Anbieter durch die Integration führender Bauteil-Technologien in kleinere fortschrittliche Gehäuse, welche Größen-, Kosten- und Leistungsvorteile bieten

Unter den ersten neuen Produkten des SiC-Portfolios von Fairchild ist eine Familie von fortschrittlichen bipolaren SiC-Sperrschichttransistoren (BJTs), die sich durch einen hohen Wirkungsgrad, hohe Stromdichte, Robustheit und einen problemlosen Betrieb bei hohen Temperaturen auszeichnen. Durch den Einsatz extrem effizienter Transistoren ermöglichen die SiC BJTs von Fairchild höhere Schaltfrequenzen durch geringere Leitungs- und Schaltverlusten (im Bereich von 30 bis 50 Prozent). Dies erlaubt bei gleicher Systemgröße eine um bis zu 40 Prozent höhere Ausgangsleistung.

Da sich kleinere Induktivitäten, Kondensatoren und Kühlkörper verwenden lassen, können diese robusten BJTs die Systemkosten um bis zu 20 Prozent senken. Durch den deutlich höheren Wirkungsgrad, ein überlegenes Kurzschlussverhalten und den sicheren Arbeitsbereich in Sperrrichtung werden diese führenden SiC BJTs künftig eine entscheidende Rolle bei der Optimierung des Leistungsmanagements von Hochleistungs-Wandlern spielen.

Fairchild hat als Teil einer vollständigen Siliciumcarbid-Lösung auch diskrete "plug-n-play" Treiberkarten (eine 15A und eine 50A Version) entwickelt. In Verbindung mit den fortschrittlichen SiC BJTs von Fairchild erlauben diese nicht nur höhere Schaltgeschwindigkeiten für geringere Schaltverluste und eine bessere Zuverlässigkeit, sondern die Entwickler können die SiC-Technologie auch einfacher in ihre Anwendungen implementieren. Zudem sind von Fairchild Applikationsberichte und Referenz-Designs erhältlich, welche die Entwickler beim Einsatz der SiC-Bauteilen unterstützen. Dadurch können sie Treiberkarten für ihre jeweiligen Anwendungen entwickeln und außerdem die Design-Zeit und die Time-to-Market verkürzen.

SiC-BJT im Vergleich zu anderen SiC-Bauteilen

Bislang effizientester 1200 V Energieumwandlungs-Schalter
- Geringste Gesamtverluste, einschließlich Schalt-, Leitungs- und Treiberverluste
- Niedrigster Schaltverlust aller 1200V-Bauteile bei gleichem RON

Einfache Ansteuerung
- Die selbstsperrenden Bauteile reduzieren das Risiko, die Komplexität und die Leistungseinschränkungen
- Stabiler Basis-Eingang, der unempfindlich gegenüber kurzzeitige Über-und Unterspannungen ist

Robust und zuverlässig
- Hohe Betriebstemperatur: Tj=175°C
- Einfache Parallelschaltung aufgrund eines positiven Temperaturkoeffizienten für RON und eines negativen Temperaturkoeffizienten für die Verstärkung
- Stabile, robuste Vbe-Durchlassspannung und Blockierung in Sperrrichtung

Gehäusetypen und Preise (in USD ab 1.000 Stück)

SiC BJTs von Fairchild sind in einem TO-247 Gehäuse erhältlich. Entwicklungsmuster sind ab sofort für qualifizierte Kunden verfügbar.

Auf Grund der langjährigen Erfahrungen im Bereich der Leistungshalbleiter ist Fairchild ideal für den wachsenden Siliciumcarbid-Markt positioniert. Die SiC-Produkte des Unternehmens bieten bislang einzigartige Vorteile hinsichtlich Schaltgeschwindigkeit, Flexibilität und Leistungsfähigkeit. Um erfolgreiche Lösungen und überlegene Halbleiter-Produkte für unterschiedlichste Anwendungsbereiche anbieten zu können, arbeitet Fairchild sehr eng mit seinen Kunden zusammen. Zudem legt das Unternehmen sehr viel Wert auf Innovation, Kundenservice und höchste Fertigungsqualität.

Informationen zur SiC-Technologie von Fairchild finden Sie unter: http://www.fairchildsemi.com/sic

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