Pressemitteilung von Florian Hohenauer

Fujitsu liefert erste Produktmuster des GaN-Leistungsbauelements mit 150 Volt Durchschlagspannung aus

---

---

Langen, Deutschland, 24. Juli 2013 - Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) führt das GaN-Leistungsbauelements MB51T008A in den Markt ein. Der Galliumnitrid-Baustein auf Siliziumbasis weist eine Durchschlagspannung von 150 Volt auf. Der neue selbstsperrende Baustein erreicht etwa den halben Gütefaktor - in Fachkreisen FOM-Wert (Figure of Merit) genannt - von Leistungsbauelementen auf Siliziumbasis mit vergleichbarer Durchschlagspannung. Mit der Erweiterung der Produktlinie um den neuen Baustein bringt Fujitsu Semiconductor GaN-Leistungsbauelemente auf den Markt, mit denen noch effizientere Stromversorgungseinheiten für eine Vielzahl von Anwendungen hergestellt werden können - von Haushaltsgeräten und Heimelektronik über IKT-Geräte bis hin zu den Marktsegmenten Automotive und Industrie. Produktmuster der neuen Serie sind ab Juli 2013 verfügbar; ab 2014 gehen die Produkte in die Massenproduktion.

Zu den wichtigsten Vorteilen des MB51T008A zählen der geringe Einschaltwiderstand von 13 m und die Gate-Ladung von 16 nC. Diese Werte ermöglichen etwa den halben FOM von Leistungsbauelementen auf Siliziumbasis mit vergleichbarer Durchschlagspannung. Charakteristisch für das als WLCSP-Package gefertigte Bauelement sind seine minimale parasitäre Induktivität und hochfrequente Schaltvorgänge. Dazu kommt das proprietäre Gate-Design in selbstsperrender Bauweise. Das neue Produkt ist bestens für High-Side- und Low-Side-Schalter in Gleichspannungswandlern zum Einsatz in Stromversorgungseinheiten für Datenkommunikationsgeräte, Industrieautomation und Kraftfahrzeugen geeignet. Da die Bausteine in Versorgungsstromkreisen eine höhere Schaltfrequenz unterstützen, können Netzteile kleiner und effizienter gebaut werden.

Neben dem MB51T008A mit einer Durchschlagspannung von 150 V entwickelt Fujitsu Semiconductor weitere Modelle mit Durchschlagspannungen von 600 V und 30 V - ein Beitrag zur Energieeffizienz in einem breit gestreuten Produktspektrum. Die Stärke der GaN-Leistungsbauelemente beruht auf dem Einsatz von Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMT, High Electron Mobility Transistor). Die HEMT-Entwicklung haben die Fujitsu Laboratories seit den 1980er-Jahren maßgeblich vorangetrieben. Auf der Grundlage des mit dieser Technologie verbundenen umfassenden IP-Portfolios wird Fujitsu Semiconductor die GaN-Leistungsbauelemente in kürzester Zeit zur Marktreife bringen. Das Unternehmen baut zudem Partnerschaften mit Kunden aus zahlreichen Industriesegmenten auf, um in Zukunft weiter zu expandieren. Firmen- & Pressekontakt