Pressemitteilung von Florian Hohenauer

Fujitsu stellt neuen 1-Mbit-FRAM-Baustein mit I²C-Schnittstelle vor

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Langen, Deutschland - 24. Februar 2014 - Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) stellt seinen neuen FRAM-Baustein MB85RC1MT vor. Der 1-Mbit I²C Baustein ist mit der größten Speicherkapazität der Produktlinie für die I²C-Schnittstelle ausgestattet und wird im SOP-8-Standardgehäuse angeboten, das Pin-kompatibel ist mit EEPROM- und Flash-Speichern. Höchste Lebensdauer und geringste Leistungsaufnahme qualifizieren den FRAM-Baustein für die hochfrequente Messwerterfassung bei extrem niedrigem Stromverbrauch - optimale Voraussetzungen für den Einsatz in der industriellen Automation und Instrumentierung.

Vorteile der FRAM-Technologie
FRAM (Ferroelektrischer RAM) ist ein Speichertyp, der sich durch die Kombination von nichtflüchtigem und RAM-Speicher auszeichnet. Als nichtflüchtiger Speicherbaustein speichert der FRAM einmal eingegebene Daten permanent ohne eine zusätzliche Energiezufuhr zu benötigen. Weil FRAMs Direktzugriffe erlauben, können schnellere Schreibvorgänge realisiert werden, so dass die bei anderen nichtflüchtigen Speichertypen unvermeidlichen Verzögerungen hier entfallen. FRAM ist mit 10 Billionen Schreib-/Lesezyklen zudem extrem langlebig, er übertrifft die herkömmlichen nichtflüchtigen Speichertypen um den Faktor 10 Millionen. Diese überragende Lebensdauer ermöglicht eine Messwerterfassung in Echtzeit.

Eigenschaften des MB85RC1MT
Der neue MB85RC1MT ist auf einen Betriebsspannungsbereich zwischen 1,8 und 3,3 Volt und Temperaturen zwischen -40 und +85 Grad Celsius ausgelegt. Die aktive Stromaufnahme des Bausteins beträgt maximal 1,2 mA (bei 3,4 MHz). Unter Berücksichtigung des extrem kurzen FRAM-Schreibzyklus ist das System erheblich energiesparender als EEPROM.

MB85RC1MT unterstützt zudem auf seiner Betriebsfrequenz einen "High-Speed"-Modus mit Schreib-/Lesezyklen bei 3,4 MHz parallel zum 1-MHz-Betrieb - was der Geschwindigkeit herkömmlicher EEPROMs entspricht. Aufgrund dieser Eigenschaften können nun in vielen Data-Logging-Anwendungen mit I²C-Schnittstelle die EEPROMs durch den neuen FRAM-Baustein ersetzt werden. Das ermöglicht hochpräzise Datenerfassung durch hochfrequente Datenprotokollierung bei gleichzeitiger Senkung des Stromverbrauchs der Schreibzyklen.

Fujitsu hat mit der FRAM-Massenproduktion im Jahr 1999 begonnen. Aufgrund der einzigartigen Eigenschaften dieser Technologie erfreuen sich heute FRAM basierte Produkte der flächendeckenden Anwendung in der industriellen Automation und Instrumentierung, in Geldautomaten und in medizinischen Geräten. Fujitsu wurde kürzlich für seine Verdienste in der Entwicklung der FRAM-Produktionstechnologie mit dem "Okochi Memorial Technology Prize" ausgezeichnet. Mit der Erweiterung der FRAM-Produktlinie um den MB85RC1MT deckt Fujitsu nun auch die I²C-Schnittstelle mit Speicherdichten zwischen 4 Kbit und 1 Mbit ab, während die Produktlinie von SPI-Schnittstelle Speicherdichten zwischen 16 kbit und 2 MBit abdeckt.

Verfügbarkeit
MB85RC1MT-Produktmuster sind ab sofort verfügbar. Firmen- & Pressekontakt