Pressemitteilung von Florian Hohenauer

Fujitsu Semiconductor bringt neue Produkte mit 1 Mbit und 2 Mbit SPI FRAM auf den Markt

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Langen, Deutschland - 21. März 2013 - Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) stellt mit den Derivaten MB85RS1MT und MB85RS2MT zwei neue Produkte mit ferroelektrischem RAM (FRAM) vor. Mit 1 Mbit bzw. 2 Mbit Speicherdichte haben sie die bisher höchste Kapazität der von Fujitsu Semiconductor angebotenen SPI FRAM Produkte. Muster der neuen Produkte werden ab Ende März erhältlich sein.

Mit 10 Billionen (1013) garantierten Schreib-Lese-Zyklen - zehnmal mehr als herkömmliche FRAM Chips bieten - sind die beiden neuen FRAM Produkte ideal für Anwendungen wie Smart Meter (z.B. intelligente Zähler), Industriemaschinen und medizinische Geräte (z.B. Hörgeräte). MB85RS1MT und MB85RS2MT bieten eine 92 Prozent niedrigere Energieaufnahme bei Schreiboperationen, verglichen mit EEPROM gleicher Speicherdichte. Typischerweise bestehen Systeme in diesem Umfeld aus EEPROM, SRAM und einer Batterie. Die neuen FRAM Produkte bündeln die Funktionen dieser Technologien in einem Chip und ermöglichen so erhebliche Einsparungen bei den Kosten für Bauteile, reduzieren den Platzbedarf als auch den Energieverbrauch. Die neuen 1 Mbit und 2 Mbit SPI FRAM Produkte stellen folglich für eine Vielzahl von Anwendungen eine Alternative zu EEPROM dar, die sowohl deutlich schneller als auch energiesparender ist und gleichzeitig eine hohe Speicherdichte aufweist. Das Ergebnis sind Systeme mit einer höheren Leistung, einer optimierten Datenpersistenz und einer längeren Batterielaufzeit.

Für Anwendungen in Industriemaschinen, in denen SRAM und EEPROM parallel zum Speichern von Daten bzw. Parametern eingesetzt werden, können die neuen FRAM Produkte diese beiden Speichertechnologien vereinen. Durch die vereinfachte Systemarchitektur, die mit dem Einsatz einer einzigen Technologie einhergeht, ergeben sich mehrere Vorteile für den Kunden: ein geringeres Fehlerrisiko im Feldeinsatz, weniger Komponenten im System, ein kleinerer PCB-Platzverbrauch und ein reduzierter Wartungsaufwand für den Batteriewechsel.

Der Vorteil von FRAM liegt in der Kombination von nichtflüchtigem und RAM-Speicher. Mit seiner hohen Schreibgeschwindigkeit kann FRAM auch bei plötzlichen Stromausfällen Daten unverzüglich speichern und so die Integrität der Systemdaten sicherstellen. Aufgrund dieser Eigenschaften sind Fujitsus FRAM Produkte bereits seit 1999 im großflächigen Einsatz in der Fabrikautomation, Messgeräten, Bankautomaten und der Medizintechnik.
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