Pressemitteilung von Ortrud Wenzel

Cree präsentiert Z-FET™ Siliziumkarbid-MOSFET für energieeffiziente Anwendungen

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München, 26. Mai 2011 - Cree erweitert seine Z-FET-Familie mit einem 1.200 V SiC-MOSFET für niedrige Amperezahlen. Leistungselektronik-Designer haben damit die Möglichkeit, den Wirkungsgrad von Wechselrichtern für alternative Energien und andere Applikationen mit großen Stückzahlen zu steigern. Der neue MOSFET eignet sich mit seinem kleineren Nennstrom für eine Vielzahl preisgünstiger Applikationen. Zudem kann er parallelgeschaltet werden, um die Systemkosten zu senken und die Performance zu optimieren.

Der neue SiC-MOSFET von Cree ist bei seiner Betriebstemperatur von 100°C für 12 A spezifiziert. Er ist für Sperrspannungen bis 1.200 V vorgesehen und hat bei 25°C einen typischen RDS(on) von nur 160 m?. Im Gegensatz zu Silizium-Schaltbausteinen mit ähnlichen Daten bleibt der RDS(on) bei dem neuen SiC-MOSFET von Cree über den gesamten Betriebstemperaturbereich hinweg unter 200 m?. Dadurch verringern sich die Schaltverluste in vielen Applikationen um bis zu 50 %. Im Vergleich zu "Best-in-class"-Silizium-IGBTs steigt der System-Wirkungsgrad um bis zu 2 %, bei 2-3-fachen Schaltfrequenzen. Der höhere Wirkungsgrad führt bei den SiC-Bausteinen zur geringerer Wärmeentwicklung mit entsprechend entschärften Anforderungen in Bezug auf das Wärmemanagement. Zusammen mit dem geringen Leckstrom der Bauelemente spart dies Platz und Gewicht und erhöht die Zuverlässigkeit eines Systems.

Der neue Baustein ersetzt Siliziumtransistoren (IGBTs), die derzeit in Anwendungen zwischen 3 und 10 kW eingesetzt werden. Zu den Einsatzgebieten zählen Hochspannungs-Netzteile und ergänzende Leistungselektronik speziell für die Umwandlung von Drehstrom, außerdem PV-Wechselrichter, industrielle Antriebe, DC-Stromversorgungsarchitekturen für Data Center sowie PFC-Schaltungen (Power Factor Correction).

"Mit den neuen Z-FET SiC-Leistungs-MOSFETs erhalten unsere Kunden noch bessere Möglichkeiten, das richtige Produkt entsprechend der Preis-Leistungs-Anforderungen ihrer Anwendung zu finden", erklärt Dr. John Palmour, Mitbegründer von Cree und Chief Technology Officer der Power- & RF-Sparte. "Trotz des günstigeren Preises durch die kleineren Die-Abmessungen stehen hier alle Vorteile der SiC-typischen Schalt-Performance bei 1.200 V zur Verfügung." Laut Palmour werden SiC-MOSFETs bei vielen Leistungselektronik-Applikationen mit großen Stückzahlen die bisherigen Silizium-Produkte verdrängen. "Ganz besonders gilt dies für Anwendungen, die nach Durchbruchspannungen von 1.200 V und mehr verlangen."

Dr. Cengiz Balkas, Vice-President und General Manager, Power & RF bei Cree, ergänzt: "Wenn die neuen Z-FET SiC-MOSFETs mit den Siliziumkarbid-Schottky-Dioden von Cree kombiniert werden, lassen sich Schalt und Stromversorgungs-Systeme hoher Leistung als reine SiC-Implementierungen realisieren. Im Vergleich zu bisherigen Silizium-Bausteinen ermöglichen SiC-Leistungshalbleiter eine höhere Energieeffizienz, niedrigere Schaltzeiten und eine verbesserte Zuverlässigkeit." Insgesamt vereinfache dies das Systemdesign, kombiniert mit höherer Performance und niedrigeren Kosten. "Wir gehen außerdem davon aus, dass die Kunden, abgesehen von diskreten Bauelementen mit eigenem Gehäuse, auch MOSFET-Chips für die Entwicklung von Power-Modulen und Mikro-Schaltungsbaugruppen nachfragen werden", so Balkas weiter.

Der neue SiC-MOSFET CMF10120D besitzt ein Industriestandard-Gehäuse des Typs TO-247. Die Leistungshalbleiter des Typs CMF10120D sind vollständig qualifiziert und für die Produktion freigegeben. Einen Distributor finden Sie auf http://www.cree.com/products/power _distr.asp. Weitere Informationen über die 1.200 V SiC-MOSFETs von Cree sowie die 600 V, 1.200 V und 1.700 V SiC-Schottky-Dioden des Unternehmens gibt es auf http://www.cree.com/power.

Z-FET ist ein Warenzeichen, Cree ist ein eingetragenes Warenzeichen von Cree. Inc. Firmen- & Pressekontakt