Pressemitteilung von Evelyn Stepken

FeRAM - die nicht-flüchtige Speicherlösung von ROHM Semiconductor

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Willich-Münchheide, 6. Juni 2011 - OKI Semiconductor, ein Unternehmen der ROHM-Gruppe, entwickelt eine neue Speichertechnologie mit der Bezeichnung "Ferroelectric RAM" (FeRAM). Die neue Serie ergänzt das existierende, aus EEPROM, DRAM und P2ROM bestehende Speicher-Portfolio von ROHM.

FeRAMs sind nicht-flüchtige Speicher, die eine ferroelektrische Schicht als Kondensator für die Datenspeicherung nutzen. Gegenüber anderen nicht-flüchtigen Speichern wie etwa EEPROMs oder Flash-Speichern haben FeRAMs den Vorteil einer deutlich niedrigeren Leistungsaufnahme (1:400 oder weniger), einer hohen, auf dem Niveau von DRAMs liegenden Schreibgeschwindigkeit und einer entscheidend höheren Anzahl von Schreibzyklen (1012). In Verbindung mit dem Datenerhalt von 10 Jahren ermöglichen diese Eigenschaften den Einsatz von FeRAM-Speichern in vielen Applikationen, in denen es auf eine zuverlässige Datenspeicherung ankommt, wie zum Beispiel für Abrechnungs-, Konfigurations- und Statusinformationen in Consumer, Industrie und Car-Multimedia-Applikationen.

Wichtige Features auf einen Blick:
- Nicht-flüchtige Datenspeicherung
- Hohe Schreib- und Lesegeschwindigkeit
- Niedrige Leistungsaufnahme im Betrieb
- Datenerhalt: 10 Jahre (ohne Back-up-Strom)
- Hohe Anzahl an Schreibzyklen
- 8-Bit-Konfiguration
- 3,3 V Versorgungsspannung
- Ausgelegt für den industriellen Temperaturbereich ( 40 bis +85 °C)

Verfügbare Versionen
32 KBit mit SPI-Interface im SOP8-Gehäuse
64 KBit mit I2C-Interface im SOP8-Gehäuse
256 KBit mit SPI-Interface im SOP8-Gehäuse
256 KBit mit Parallel-Interface im TSOP28-Gehäuse

Verfügbarkeit
Zur Evaluierung der neuen Bauelemente sind bereits erste Muster von verschiedenen Varianten mit serieller Schnittstelle (I2C oder SPI) oder mit Parallel-Interface verfügbar. Der Beginn der Massenfertigung ist für das dritte Quartal 2011 geplant.
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