Pressemitteilung von Evelyn Stepken

ROHM Semiconductor bietet lückenlose Palette schneller MOSFETs mit hoher Spannungsfestigkeit

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Willich-Münchheide, 7.6. 2011 - ROHM Semiconductor hat seine populäre Palette von MOSFETs mit hoher Schaltgeschwindigkeit und großer Spannungsfestigkeit, die für PFC-Schaltungen (Leistungsfaktor-Korrektur) in Schaltnetzteilen und netzbetriebenen Schaltungen vorgesehen sind, weiter ausgebaut. Die Bauelemente sind in einer Vielzahl von Gehäusekonfigurationen für Oberflächenmontage (CPT/D-PAK, LPT/D2-PAK) und Einsteckmontage (z. B. TO3-PF) verfügbar. Die neue Serie macht ihrem Namen "PrestoMOS" alle Ehre, denn sie bringt es dank kurzer Sperrverzögerungszeiten (trr) auf hohe Schaltgeschwindigkeit, einen hohen Wirkungsgrad und niedrige Verluste, wodurch sie sich ideal für integrierte Wechselrichter, Beleuchtungen, Motortreiber, Solar-Batterien, Power Conditioner, Hochfrequenz-Brückenschaltungen und alle anderen Anwendungen eignet, die nach hoher Leistungsfähigkeit verlangen.

Die PrestoMOS™-Familie: Schnelle MOSFETs mit hoher Spannungsfestigkeit
Gestützt auf eine ionenbasierte Produktionstechnologie nach dem neuesten Stand der Technik sowie auf neue Hochspannungs-Prozesse, erzielt die PrestoMOS-Serie einen unerreicht geringen On-Widerstand, einen niedrigen Qg-Wert und eine hohe Schaltgeschwindigkeit, was die Wechselrichter-Effizienz verbessert und den externen Bauteileaufwand verringert. Da die eingebaute Body-Diode mit niedrigem trr-Wert den Verzicht auf eine externe Fast-Recovery-Diode (FRD) ermöglicht, wird nur wenig Leiterplattenfläche benötigt, was ideale Voraussetzungen für miniaturisierte Applikationen bietet. Verglichen mit konventionellen Produkten für 600 V/8 A wurde nicht nur der trr-Wert entscheidend verbessert, sondern auch das Irr-Verhältnis und die Verluste. Eine Power-Conditioner-Schaltung benötigt beispielsweise nur vier Bauelemente und kommt ohne externe FRDs aus.

Schnelle Schalt-MOSFETs
Die neueste Serie schneller Schalt-MOSFETs von ROHM basiert auf Prozessen mit hoher Spannungsfestigkeit. Die Bauelemente zeichnen sich verglichen mit herkömmlichen Produkten durch einen um nicht weniger als 50 % geringeren On-Widerstand und eine um 40 % reduzierte Gateladung (Qg) aus, während die Schaltgeschwindigkeit um etwa 30 % verbessert wurde. Die reduzierte Wärmeentwicklung im Schaltbetrieb ermöglicht kompaktere Designs und senkt die Kosten.

Wichtige Merkmale auf einen Blick
- Verbesserung des trr-Werts um bis zu 80 %
- Verbesserter lrr-Wert, niedriger Qg-Wert, geringer On-Widerstand
- Integrierter IGBT mit FRD senkt den Bauteileaufwand, ermöglicht stärkere Miniaturisierung und steigert den Wirkungsgrad

Versionen mit größerer Stromfestigkeit und Hochleistungs-Gehäusen befinden sich in der Entwicklung.
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