Pressemitteilung von Mark Ellins

Fujitsu stellt Ultra-Low-Power-FRAM mit integrierter Zählerfunktion vor


Elektro & Elektronik

Langen, Deutschland, 9. Dezember 2014 - Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) stellt heute den neuen FRAM-Baustein MB85RDP16LX vor, der extrem stromsparend arbeitet und mit einem integrierten Binärzähler ausgestattet ist. Das neue Produkt überzeugt mit zahlreichen Optimierungen: Verglichen mit Standard-FRAM-Lösungen liegt die Energieaufnahme des neuen Bausteins bei weniger als zehn Prozent. Mit MB85RDP16LX zielt Fujitsu auf Energy-Harvesting-Anwendungen in der Industrieautomation, beispielsweise für Drehgeber, Motorsteuerungen und Sensoren. Mit dem extrem stromsparenden Produkt lassen sich energieautarke Lösungen wie etwa die von iC-Haus (https://www.ichaus.de/) angebotene Wiegand wire-based platform realisieren.

Wesentliche Energieeinsparungen werden durch die Integration der Zählerfunktion in den FRAM-Chip erreicht. In herkömmlichen Systemumgebungen mit Standardspeicher muss die MCU für einen Zählvorgang zunächst Daten aus dem Speicher auslesen, intern berechnen und schließlich die neuen Daten in den Speicher zurückschreiben. Beim MB85RDP16LX-Baustein dagegen werden die separaten Lese-/Schreibvorgänge durch einen einzigen MCU-Befehl ersetzt, was eine Energieeinsparung von bis zu 94 Prozent bewirkt.

Die Einschaltzeit des MB85RDP16LX-Bausteins wurde auf 5 Mikrosekunden optimiert - das ist 38-mal schneller als der Vergleichswert bei Standard-FRAM-Chips. Somit werden extrem schnelle Wake-up-Zeiten möglich, was wiederum mehr Energie einspart.

Der MB85RDP16LX-Baustein kann über Single- und Dual-SPI-Schnittstellen angesteuert werden. Die Dual-SPI-Schnittstelle ermöglicht die Halbierung der Taktfrequenz und eröffnet damit weiteres Energiesparpotenzial ohne jede Leistungseinbuße.

Um die Anforderungen der Industrieautomation an einen breiteren Temperaturbereich zu erfüllen, wurde der MB85RDP16LX-Baustein auf den Einsatz zwischen -40 und +105 Grad Celsius ausgelegt. Der Datenerhalt liegt weiterhin unverändert bei zehn Jahren.

MB85RDP16LX wird im SON-8-Gehäuse geliefert. Die Abmessungen von 2 mm x 3 mm ermöglichen den Entwurf von Kleinstgeräten. Im Vergleich zu herkömmlichen SOP-8-Gehäusen kann beim Speicher bis zu 80 Prozent an Leiterplattenplatz eingespart werden.
Verfügbarkeit

Die Massenproduktion von MB85RDP16LX hat bereits begonnen. Produktmuster sind ab sofort verfügbar.
Fujitsu FSEU Semiconductor Elektronik Industrie FRAM Sensor Energy Harvesting Industrieautomation

http://emea.fujitsu.com/semiconductor
Fujitsu Semiconductor Europe GmbH
Pittlerstr. 47 63225 Langen

Pressekontakt
http://www.hotwirepr.com
Hotwire
Franziska-Bilek-Weg 9 80339 München


Diese Pressemitteilung wurde über PR-Gateway veröffentlicht.

Für den Inhalt der Pressemeldung/News ist allein der Verfasser verantwortlich. Newsfenster.de distanziert sich ausdrücklich von den Inhalten Dritter und macht sich diese nicht zu eigen.

Weitere Artikel von Mark Ellins
Weitere Artikel in dieser Kategorie
23.04.2025 | Schukat electronic Vertriebs GmbH
Schukat auf der PCIM 2025: Halle 5 / Stand 402
S-IMG
Über Newsfenster.de
seit: Januar 2011
PM (Pressemitteilung) heute: 69
PM gesamt: 425.005
PM aufgerufen: 72.044.865